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Si7110DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.010
0.008
0.006
0.004
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2500
2000
1500
1000
C iss
C oss
0.002
0.000
500
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
4
2
0
V DS = 10 V
I D = 21.1 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 21.1 A
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
60
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.024
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.020
I D = 5 A
I D = 21.1 A
T J = 150 °C
0.016
10
0.012
0.008
T J = 25 °C
0.004
1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73143
S-80581-Rev. E, 17-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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